快速导航

gan

相关内容

华润微电子申请GaN HEMT器件制作方法专利，降低栅极的正向漏电水平

网易号
金融界 2025-07-01

重庆平创半导体研究院取得GaN高电子迁移率晶体管相关专利

网易号
金融界 2025-07-01

昂德环球科技取得一种Si衬底的GaN薄膜及制备方法专利

网易号
金融界 2025-07-01

欣锐科技：与纳微半导体成立联合研发实验室，聚焦GaN和SiC在新能源汽车电源系统的创新应用

网易号
金融界 2025-07-01

华润微电子申请增强型GaN HEMT器件及制作方法专利，抑制PGaN顶盖层侧边漏电通道

网易号
金融界 2025-06-30

湖州镓奥科技申请基于垂直互联与梯度热匹配的GaN芯片封装结构及方法专利，寄生电感降低95％以上

网易号
金融界 2025-06-28

烽火通信获得发明专利授权：“一种基于生成对抗网络GAN的信号质量预测方法和装置”

网易号
证券之星 2025-06-28

2025年全球功率半导体行业发展现状 市场主要受到SiC和GaN功率器件拉动【组图】

网易号
前瞻网 2025-06-27

新华北取得Ka频段GaN MMIC功率放大器电路及放大器专利

网易号
金融界 2025-06-27

青岛佳恩半导体申请金属SIN层-半导体结构额低损耗源漏GaN功率器件制备专利，有效解决GaN功率器件源漏区域高损耗问题

网易号
金融界 2025-06-25

南京邮电大学等取得基于GaN/PEDOT:PSS平面异质结忆阻器及其制备方法专利

网易号
金融界 2025-06-25

英嘉通在2025世界碳化硅大会带来低成本SiC与GaN解决方案

网易号
充电头网 2025-06-23

先导集团旗下先为科技首台 GaN MOCVD 外延设备正式发货

网易号
屏显时代网 2025-06-20

润新微电子申请GaN集成芯片和器件专利 极大地简化供电电路结构

网易号
金融界 2025-06-20

先为科技首台GaN MOCVD外延设备发货

网易号
LEDinside 2025-06-19

江苏芯港半导体申请蓝宝石GaN HEMT功率芯片的制作方法专利，提高芯片的导热性和机械强度

网易号
金融界 2025-06-18

南昌大学等申请用于超小间距GaN基Micro LED模组的自对准金属湿法隔离工艺专利，有效简化工艺流程

网易号
金融界 2025-06-17

无锡安趋电子取得降低dVS/dt噪声的GaN功率管自举电压控制系统专利

网易号
金融界 2025-06-17

英飞凌取得用于GaN开关的时间可编程失效安全下拉电路专利

网易号
金融界 2025-06-17

新基建氮化镓，格局大变

网易号
芯流智库 2025-06-14

润新微电子取得一种耗尽型GaN器件及其制备方法专利

网易号
金融界 2025-06-13

中科无线半导体申请基于氮化镓高阻层的PHEMT器件外延结构专利 提升器件稳定性和性能

网易号
金融界 2025-06-10

三安光电：拥有硅基氮化镓产能2,000片/月，将持续进行技术平台升级及拓展

网易号
金融界 2025-06-09

安徽格恩半导体申请一种GaN基激光二极管结构专利，达到较好的光学限制效果

网易号
金融界 2025-06-09

世名科技申请用于GaN高电子迁移率晶体管的导热UV胶及制备方法专利，能够克服金刚石难粘接的难题

网易号
金融界 2025-06-07

无锡博通微电子技术申请复合栅纵向GaN开关器件及其制备方法专利，降低器件的导通电阻

网易号
金融界 2025-06-06

格恩半导体申请一种GaN基蓝光半导体激光器芯片专利，提升激光器的激光相干性

网易号
金融界 2025-06-03

济南晶芯半导体申请GaN功率放大器芯片自动化测试系统专利，提高测试效率和准确性

网易号
金融界 2025-05-31

真茂佳半导体取得耗尽型与增强型GaN单片集成器件专利，提高GaN器件的集成度

网易号
金融界 2025-05-31

华润微电子申请共源共栅级联结构GaN器件的封装结构及封装方法专利，既具有扇出封装的优势，又降低了成本

网易号
金融界 2025-05-30

GaN，助力6G

网易号
半导体产业纵横 2025-05-29

中科无线半导体申请机器人关节GaN阵列系统芯片结构及其制备方法专利，芯片结构体积大大减少

网易号
金融界 2025-05-27

冠禹半导体取得双输入GaN HEMT器件及其制造方法专利

网易号
金融界 2025-05-23

小米 90W GaN 小布丁充电器开售：可折叠插脚设计，149 元起

网易号
IT之家 2025-05-23

摩珂达半导体申请功率GaN HEMT开关动态电流特性建模方法专利 多项指标相对于传统模型存在明显优势

网易号
金融界 2025-05-23

英诺赛科（02577.HK）5月22日收盘上涨14.29%，成交5.31亿港元

网易号
金融界 2025-05-22

小米推出 90W GaN 小布丁充电器，售价 149 元起

网易号
IT之家 2025-05-22

英诺赛科(02577)上涨13.99%，报39.1元/股

网易号
金融界 2025-05-22

英诺赛科(02577)上涨9.91%，报37.7元/股

网易号
金融界 2025-05-22

英诺赛科革新AI算力基建：1.2kW 48V GaN方案突破数据中心PUE局限

网易号
爱集微 2025-05-21

朗坤智慧科技取得基于 SA-GAN 的电力市场新能源联合预测方法专利

网易号
金融界 2025-05-16

想了解业界内置氮化镓美容仪源于何处，这篇文章给你答案

网易号
充电头网 2025-05-16

苏州华太取得GaN HEMT器件专利

网易号
金融界 2025-05-16

江苏镓宏半导体申请新型GaN基HEMT外延结构专利，有效提高外延结构的耐压性能和纵向电流阻断能力

网易号
金融界 2025-05-13

请问贵司车规级GaN器件目前的研发与导入进度？三安光电回应

网易号
每日经济新闻 2025-05-13

三安光电(600703.SH)：积极与头部车企及组件厂商共同探索GaN器件在汽车电子的应用潜力

网易号
格隆汇 2025-05-12

润新微电子申请低杂散电感 GaN 器件及其制备方法专利，有效降低 GaN 器件杂散电感

网易号
金融界 2025-05-12

博威集成电路取得基于LCP的GaN微波功率器件的管帽结构专利

网易号
金融界 2025-05-09

无需外置肖特基二极管，英飞凌推出工业级应用GaN系列产品

网易号
充电头网 2025-05-09

江西兆驰半导体申请发光二极管芯片专利，避免炸伤 GaN 外延层

网易号
金融界 2025-05-07
没有更多内容了
热点新闻
© 1997-2025 网易公司版权所有 About NetEase | 公司简介 | 联系方法 | 招聘信息 | 客户服务 | 隐私政策 | 不良信息举报 Complaint Center | 廉正举报 | 侵权投诉
无障碍浏览 进入关怀版