快速导航

gan

相关内容

上海新微半导体申请HEMT器件及其制备方法专利，可以降低关态时P型GaN层靠近漏极一侧的漏电流

网易号
金融界 2026-05-01

兆驰半导体取得GaN基发光二极管外延片及其制备方法专利

网易号
金融界 2026-05-01

宏微科技2025年实现扭亏为盈 SiC、GaN加速切入AIDC等新兴应用场景

网易号
证券时报 2026-04-29

GaN_HEMT界面工程对高温与动态偏压可靠性提升的作用机制研究

网易号
热质纳能 2026-04-29

成都航天博目电子取得GaN HEMT全介质悬浮场板器件专利

网易号
金融界 2026-04-28

光峰科技：研GaN等半导体激光技术，打造核心器件布局新赛道

网易号
金融界 2026-04-28

兆驰半导体申请发光二极管外延片及其制备方法专利，可提升发光二极管的发光效率

网易号
金融界 2026-04-28

扬杰电子取得增强型GaN-HEMT制备方法专利

网易号
金融界 2026-04-24

武汉鑫威源电子取得GaN基蓝光激光器外延结构专利

网易号
金融界 2026-04-22

武汉鑫威源电子科技取得GaN基蓝光激光器制备方法专利

网易号
金融界 2026-04-22

华硕把氮化镓塞进了电源，但玩家真需要吗？

网易号
Ping值焦虑 2026-04-21

英诺赛科午后涨逾5% GaN为TPU集群高效供电关键功率器件

网易号
金融界 2026-04-21

英诺赛科午后涨逾5% GaN为TPU集群高效供电关键功率器件

网易号
新浪财经 2026-04-21

港股异动 | 英诺赛科(02577)盘中涨超5% 谷歌新一代TPU即将发布 GaN为TPU集群高效供电关键功率器件

网易号
智通财经 2026-04-21

技术大会周二召开（免费午餐）：224G SerDes｜GAN｜FPGA｜AI信号处理等（4.21 北京 报名倒计时）

网易号
EETOP半导体社区 2026-04-19

芯璨电子申请GaN HEMT栅极高电压寿命测试验证方法专利，能够可靠预测栅极在实际使用中的使用寿命

网易号
金融界 2026-04-18

江苏京数申请基于GaN MQW二极管阵列的氧舱智能控制系统专利，可有效提高氧舱系统的集成度与安全性

网易号
金融界 2026-04-16

投资者提问：尊敬的董秘您好！请问贵公司在第三代半导体（SiC/GaN）切割...

网易号
新浪财经 2026-04-15

技术大会报名倒计时（免费午餐）：224G SerDes｜GAN｜FPGA｜AI信号处理等（4.21 北京 报名倒计时）

网易号
EETOP半导体社区 2026-04-15

昂宝集成电路取得GaN驱动功率开关电源系统及其控制电路专利

网易号
金融界 2026-04-14

媒体专访 | 德龙激光谈SiC/GaN跨越与融合

网易号
新浪财经 2026-04-14

港股异动 | 英诺赛科(02577)盘中涨超5% 氮化镓器件渗透率逐年提升 公司GaN芯片超预期上量

网易号
智通财经 2026-04-14

技术大会报名（免费午餐）：224G SerDes｜GAN｜FPGA｜AI信号处理等（4.21 北京 报名倒计时）

网易号
EETOP半导体社区 2026-04-14

MATLAB 技术大会：224G SerDes｜GAN｜FPGA｜AI信号处理等（4.21 北京 报名倒计时）

网易号
EETOP半导体社区 2026-04-14

两个AI「画家」互撕10年，OpenAI捡了现成

网易号
Ping值焦虑 2026-04-13

224G SerDes｜GAN｜FPGA｜AI信号处理等—MATLAB 技术大会（4.21 北京 报名倒计时）

网易号
EETOP半导体社区 2026-04-11

中科无线半导体取得GaN集成电路先进封装专利

网易号
金融界 2026-04-11

瑞森半导体取得GaN晶体管切脚成型装置专利，不会对GaN晶体管造成损伤

网易号
金融界 2026-04-10

联晶通半导体取得GaN器件寿命快速预测方法专利

网易号
金融界 2026-04-10

台积电退出后，GaN格局被颠覆

网易号
新浪财经 2026-04-10

晶镓半导体申请用于GaN生长炉的下置升降式衬底传输机械装置专利，避免了传统侧向传输带来的气流扰动

网易号
金融界 2026-04-10

苏州纳维取得基于GaN同质衬底的Micro-LED器件专利

网易号
金融界 2026-04-10

台积电退出后，GaN格局被颠覆

网易号
半导体行业观察 2026-04-10

新微半导体申请p-GaN HEMT器件及其制备方法专利，显著提升器件的阈值电压稳定性和栅极可靠性

网易号
金融界 2026-04-08

谱析光晶申请具有有源钳位吸收电路的GaN HEMT结构专利，显著提升器件工作稳定性

网易号
金融界 2026-04-07

三星首条8英寸GaN生产线已准备就绪！

网易号
新浪财经 2026-04-07

GAN+FPGA+224G SerDes+AI信号处理等一文看懂 MATLAB 技术大会（4.21,北京）

网易号
EETOP半导体社区 2026-04-05

中科无线半导体取得单片集成GaN Cascode器件专利

网易号
金融界 2026-04-03

广电计量申请GaN器件动态高温工作寿命试验电路专利，能够模拟GaN器件在高温、高频、高功耗条件下的工作表现

网易号
金融界 2026-04-02

佳恩半导体取得单片集成逆导型GaN-HEMT功率器件结构调整方法专利

网易号
金融界 2026-03-31

兆驰集成申请发光二极管外延片及其制备方法专利，可提升发光效率

网易号
金融界 2026-03-31

智诚尚芯申请GaN基增强型高电子迁移率晶体管专利，提高器件阈值电压稳定性

网易号
金融界 2026-03-31

芯怀科技取得GaN器件AC仿真方法专利

网易号
金融界 2026-03-31

欣锐科技：公司已实现基于双向氮化镓（GaN）器件的单级矩阵变换器拓扑（双向）量产技术

网易号
证券之星 2026-03-30

欣锐科技：公司已实现基于双向氮化镓（GaN）器件的单级矩阵变换器拓扑（双向）量产技术

网易号
每日经济新闻 2026-03-30

南京大学申请基于物理锚定与GAN算法的工业废水处理系统数据增强方法及系统专利，实现工业废水处理数据的高效定向数据增强

网易号
金融界 2026-03-30

青岛佳恩半导体取得由AIN层与P型GaN堆叠复合栅结构专利，解决了传统复合栅结构电场分布不均的弊端

网易号
金融界 2026-03-28

拒绝能效焦虑！全新ROHM GaN解决方案驰骋AI服务器领域

网易号
科技见闻录 2026-03-27

江苏甘淋智能取得具有p沟道GaN基HEMT器件制备方法专利

网易号
金融界 2026-03-27

PCIM Asia行业前瞻｜双基底+300mm+混合路径：氮化镓下一程，一次理清

新闻
大京新闻网 2026-03-25
没有更多内容了
热点新闻
© 1997-2026 网易公司版权所有 About NetEase | 公司简介 | 联系方法 | 招聘信息 | 客户服务 | 隐私政策 | 不良信息举报 Complaint Center | 廉正举报 | 侵权投诉
无障碍浏览 进入关怀版