【SK海力士成功研发176层NAND闪存】SK海力士7日表示,近期成功研发出基于三层存储单元(TLC)的176层512Gb(千兆位)NAND闪存。SK海力士去年6月在世界上首次成功批量生产128层4D NAND闪存。此次仅次于美国存储半导体企业美光科技,美光11月宣布已批量出货176层NAND闪存。
【SK海力士成功研发176层NAND闪存】SK海力士7日表示,近期成功研发出基于三层存储单元(TLC)的176层512Gb(千兆位)NAND闪存。SK海力士去年6月在世界上首次成功批量生产128层4D NAND闪存。此次仅次于美国存储半导体企业美光科技,美光11月宣布已批量出货176层NAND闪存。