韩国半导体产业发家史：政府巨额投资三星"死磕"|dram|海力士

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（原标题：韩国半导体产业发家史：政府推动巨额投资三星“死磕”闯出半壁江山）

“芯片国际棋局”系列专题之二：

近来，芯片成为网红、热词，把半导体行业和公司送上风口浪尖。上期全球商业观察我们梳理了国际半导体产业目前的竞争格局，本期继续聚焦半导体产业全球领先的韩国和台湾地区，看看它们发展半导体产业的历程、现状和得失经验。（李艳霞）

2017年半导体产业缔造了一项新纪录。

国际研究机构Gartner研究总监George Brocklehurst表示，这项记录便是三星将英特尔挤下全球半导体营收龙头的宝座。英特尔自1992年以来连续25年“全球第一大厂”的名头就此让位。Gartner最新的统计结果显示，2017年全球半导体营收总计4204亿美元，较2016年的3459亿美元增长21.6%。

此外，根据IC Isights等机构的统计数据，从营收来看，全球前三大半导体公司中韩国占据两席，三星、SK海力士分别位居一、三名。三星、SK海力士在2017年营收大增，主要和芯片短缺造成的价格走高有关。

自20世纪80年代三星建立半导体研究与开发实验室起至今，韩国半导体产业发展可谓“励志”。

不到40年的时光中，韩国的半导体产业在起步比美国、日本晚上十几年的情况下，从一片荒芜逐渐生长为半导体产业之林的巨擘，离不开密集的技术援助、政府的强力保护以及企业的“死磕”。

沉淀：“政府+大财团”的模式

韩国的半导体产业以技术引入起步，经过20年左右的沉淀，在芯片设计与加工技术等领域完成了自身技术积累。

1959年，LG公司的前身“金星社”研制、生产出韩国的第一台真空管收音机，这也被认为是韩国半导体产业的起源。但当时的韩国并没有自主生产能力，只能对进口元器件进行组装。

20世纪60年代中期开始仙童半导体（Fairchild）和摩托罗拉（Motorola）等美国公司越来越多地投资于东南亚等低价劳动力国家，以降低其生产成本，韩国从这一趋势中获益，但仅停留在经济层面。

OECD（经合组织）在一份报告中指出，对于这些美国投资者的子公司而言，韩国只是“飞地”，对于韩国的技术进步未起到任何作用，“他们只是专门从事简单的晶体管和ICs的组装，用于出口，所需的材料和生产设备都是进口的”。

到了20世纪70年代，三洋(Sanyo)和东芝(Toshiba)等日本公司半导体公司也开始在韩国投资。但直到20世纪80年代初，韩国的半导体工业仍然非常局限，只是一个简单的、劳力密集的组装节点。

随着20世纪70年代外部世界市场环境变化以及韩国工资水平的提高，韩国轻工业产品出口比率大幅下降，外债也上升到危险的水平，韩国经济受到威胁。

为此，韩国政府在1973年宣布了“重工业促进计划”（HCI促进计划），旨在通过重工业和化学工业发展来建立一个自给自足的经济。1975年，韩国政府公布了扶持半导体产业的六年计划，强调实现电子配件及半导体生产的本土化。

韩国政府还组织“官民一体”的DRAM共同开发项目,即通过政府的投资来发展DRAM产业。

在半导体产业化的过程中，韩国政府推进“政府+大财团”的经济发展模式，并推动“资金+技术+人才”的高效融合。在此过程中，韩国政府还将大型的航空、钢铁等巨头企业私有化，分配给大财团，并向大财团提供被称为“特惠”的措施。

《经济学人》在1995年的文章中评论称，20世纪80年代韩国工业的发展得益于HCI促进计划，由于如此庞大的资源集中于少数财团，他们可以迅速进入资本密集型的DRAMs生产，并最终克服生产初期巨大的财务损失。

超越：三星的崛起

1983年是韩国半导体产业的历史转折点。

韩国财团的进入让半导体行业进入大规模集成(VLSI)生产时代，这些包括三星、金星社以及现代公司（后改名为海力士半导体，并被SK集团收购）等企业。这实现了韩国工业的质变——从简单的装配生产到精密的晶片加工生产。

20世纪80年代，三星和现代的财团都在寻找未来的商业领域，最终他们的目标是，从工业基地转型为更具高科技导向的产业。当三星决定通过其电子业务进入大规模集成芯片生产时，现代决定将芯片生产作为实现其向电子产业多样化的一个途径。而随后金星社的加入，让韩国最大的三家财团均参与进VLSI生产。

三星发展半导体产业是一部浓缩的韩国半导体产业发展史。

前三星集团首席执行官李秉哲（Lee Byung Chul）在1983年2月决定对内存芯片生产进行大规模投资。这被认为是一个非常大胆的决定。因为当时韩国仍是一个简单的装配生产基地，1983年，整个半导体生产中晶圆加工的份额也仅为4.3％。

根据三星的官方策略解释，三星电子公司当时遭遇了日本进口芯片的频繁交付问题。以上的所有因素促使李秉哲尝试进入VLSI芯片业务。

三星制定了一个详细的计划，根据这个计划，三星全部半导体产品中大约50％应该是DRAM。通过对精心挑选的DRAM领域关注，实现规模经济和成本的竞争力。

其后，SST国际公司在硅谷成立，成为三星的技术前哨。SST国际公司（与Tristar半导体公司同年更名）为三星的产品开发做出了重大贡献，SST国际公司成功开发的产品会转让给韩国的母公司SST，用于批量生产，这对三星的技术开发起到了至关重要的作用。

1983年，三星在京畿道器兴地区建成首个芯片厂，并开始了接下来的一系列动作。三星电子首先向当时遇到资金问题的美光(Micron)公司购买64K DRAM技术，加工工艺则从日本夏普公司获得，此外，三星还取得了夏普“互补金属氧化物半导体工艺”的许可协议。

在此过程中，三星等韩国公司已逐渐熟悉渐进式工艺创新，加上这些公司逆向工程方面的长期经验，韩国的半导体产业进入了发展的快车道。

在选择DRAM作为主要产品后不久，三星于1983年11月成功研发了64K DRAM。从技术上讲，韩国半导体行业实现了从相对简单的LSI技术到尖端的VLSI技术的重大飞跃。由此，1983年标志着韩国VLSI芯片时代的开始。不可否认的是，在最初阶段，外国技术许可在三星产品开发中发挥了至关重要的作用。

随后，三星电子1984年成立了一家现代化的芯片工厂，用于批量生产64K DRAM。1984年秋季首次将其出口到美国。1985年成功开发了1M DRAM，并取得了英特尔“微处理器技术”的许可协议。

此后三星在DRAM上不断投入，韩国政府也全力配合。由韩国电子通信研究所【KIST，由韩国科学和技术部（MOST）管理】牵头，联合三星、LG、现代与韩国六所大学，“官产学”一起对4M DRAM进行技术攻关。该项目持续三年，研发费用达1.1亿美元，韩国政府便承担了57%。随后韩国政府还推动了16M / 64M DRAM的合作开发项目。

1983年至1987年间实施的“半导体工业振兴计划”中，韩国政府共投入了3.46亿美元的贷款，并激发了20亿美元的私人投资，这大力促进了韩国半导体产业的发展。

在1987年，世界半导体市场还出现另一个机会，这源自美国和日本之间的半导体贸易冲突以及随后的政治调控。1985年以后，日本DRAM生产商市场份额的增加，被认为是牺牲了美国生产商的利益，美日之间的贸易冲突日益加剧。

日本首先宣布对外国半导体生产商实施半导体贸易协定（STA），美国政府则于1987年3月宣布了对含日本芯片的日本产品征收反倾销税等报复措施。

最终，日本承诺通过减少DRAM产量来提高芯片价格。但当时美国计算机行业需求增长，导致全球市场上256K DRAM的严重短缺。这为韩国256K DRAM生产商提供了重要的“机会之窗”。

此后韩国一直在赶超。1988年三星完成4M DRAM芯片设计时，研发速度比日本晚6个月，随后三星又趁着日本经济泡沫破裂，东芝、NEC等巨头大幅降低半导体投资时机，加大投资，引进日本技术人员。并于1992年开发出世界第一个64M DRAM，超过日本NEC，成为世界第一大DRAM制造商。

赌徒：逆周期投资

超越日本成为世界第一大DRAM制造商只是三星带领韩国半导体产业迈向世界第一梯队的第一步。

1995年之后，三星多次发起“反周期定律”价格战，使得DRAM领域多数厂商走向破产，并逐渐形成DRAM领域只有几家垄断市场的现状。

集邦咨询拓墣产业研究院研究经理林建宏对21世纪经济报道记者表示，半导体产业每年需投入大量资本支出，用于设备与技术的开发。三星是综合公司型态，即使存储器市场低迷，仍可透过其他事业部门注入资金。这让三星逐步成为半导体产业巨擘。

比如，三星于1984年推出64K DRAM时，全球半导体业步入一个低潮，内存价格从每片4美元暴跌至每片30美分，而三星当时的生产成本是每片1.3美元，这意味着每卖出一片内存三星便亏1美元。

在低潮期，英特尔退出DRAM行业，NEC等日企大幅削减资本开支，而三星却像“赌徒”一般疯狂加码，逆周期投资，继续扩大产能，并开发更大容量的DRAM。

到1986年底,三星半导体累积亏损3亿美元，股权资本完全亏空。但转机却瞬间来到，1987年，日美半导体协议的签署使得DRAM内存价格回升，三星也为全球半导体市场的需求补缺，开始盈利，从逆势中挺了过去。